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CGC1S06510 TO-220 Schottky-Barrieredioden (SBD) 650V 10A 1,7V

Kategorie:
elektronischer IC-Chip
In-Vorrat:
Vorräte
Preis:
negotiable
Spezifikationen
Art:
MOSFET
Betriebstemperatur:
-55°C | 150°C
Befestigung der Art:
Durch Loch
Paket/Fall:
TO-220
Teilnummer:
CGC1S06510
Bedingung:
Neu
Einleitung

CGC1S06510 Schnelle Diode ∙ Verbesserte Leistung für Ihre elektronischen Geräte

Verabschieden Sie sich von der ineffizienten Energieumwandlung mit unserer überlegenen Siliziumkarbiddiode.

 

Wenn Sie Ihre elektronischen Geräte für eine schnellere und effizientere Energieumwandlung aktualisieren möchten, ist die CGC1S06510 Fast Diode die Lösung, die Sie gesucht haben.Unsere Siliziumkarbiddiode verfügt über Schottky-Dioden für eine überlegene Leistung in einer Vielzahl von AnwendungenMit einer hohen Gleichspannungsumkehrspannung von 650 V und einem durchschnittlichen Berichtigungstrom von 10 A ist diese Diode ideal für Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur und Motorantriebe.

 

Darüber hinaus bietet die CGC1S06510 Fast Diode zahlreiche Vorteile gegenüber herkömmlichen Dioden.und temperaturunabhängige Schaltmerkmale, werden Sie praktisch keine Schaltverluste und geringere Anforderungen an die Heizkörper erfahren.Sie werden sich keine Sorgen machen müssen, dass parallele Geräte mit der CGC1S06510 Fast Diode thermische Flucht verursachen.Warum sich also mit einer langsamen und ineffizienten Energieumwandlung begnügen, wenn Sie Ihre elektronischen Geräte mit unserer überlegenen Siliziumkarbiddiode aktualisieren können?Bestellen Sie die CGC1S06510 Fast Diode noch heute und erleben Sie einen schnelleren Betrieb, Null Schaltverluste und effizientere Energieumwandlung.

 

 

Teilnummer

CGC1S06510

Paket

Zwei Jahre

Hersteller

CEN.

Verpackung

mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm

Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal)

650 V

Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn

1.7V @ 10A

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Lagerbestand:
In Stock
MOQ:
1