Tor-Fahrer-Dual MOSFET DRVR 8P SOIC IX4424NTR IX4424N gab Ersatz IC CMOS-Stromversorgung P.S. ein
Einführung des Hochgeschwindigkeits-Tor-Fahrers IX4424NTR IX4424N
Erzielen Sie leistungsfähigen und zuverlässigen Doppel-Stromversorgungs-Ersatz MOSFET DRVR Bitmain mit dem IX4424NTR IX4424N
Erneuern Sie Ihr Elektronikprojekt mit dem Hochgeschwindigkeits-Tor-Fahrer IX4424NTR IX4424N, dem perfekten Ersatz für Bitmain APW7, Stromversorgung APW8 und APW9. Dieses Doppel-System MOSFET DRVR ist für das Hochgeschwindigkeits- und niedrig-seitige Tor bestimmt, das fährt und ermöglicht müheloser Energielieferung für starke Anwendungen. Mit seinem kompatiblen Input TTLs und CMOS löst dieses Torfahrersystem Sperrungsfragen, die häufig die meisten Stromkreise quälen.
Es kennzeichnet zwei Ertrag, die Quelle und 3A des Spitzenstroms zu sinken können, ideal für Hochfrequenzprojekte. Das IX4424NTR IX4424N garantiert zuverlässiger Funktionalität, indem es zusammengebrachten Aufstieg und Abfallzeiten und eine niedrige Laufzeitverzögerungszeit zur Verfügung stellt. Ob Sie einen schnellen und leistungsfähigen MOSFET-Torfahrer für Ihre komplexen Leiterplatten benötigen, wandeln der Tor-Fahrer IX4424NTR IX4424N und seine Hochgeschwindigkeitsgegenstücke Ihre Systeme um, um hohem Erfolg zu garantieren. Auftrag jetzt und den Unterschied erfahren.
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Produkt-Kategorie |
Tor-Fahrer |
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Produkt |
Mosfet-Tor-Fahrer |
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Art |
Niedrige Seite |
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Befestigung von Art |
SMD/SMT |
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Paket/Fall |
SOIC-8 |
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Zahl von Fahrern |
Fahrer 2 |
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Zahl von Ertrag |
Ertrag 2 |
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Ausgangsstrom |
3 A |
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Versorgungs-Spannung - Minute |
4,5 V |
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Versorgungs-Spannung - maximal |
30 V |
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Konfiguration |
Niedrige Seite |
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Anstiegszeit |
60 ns |
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Abfallzeit |
60 ns |
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Minimale Betriebstemperatur |
- 40 C |
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Normalbetriebshöchsttemperatur |
+ 125 C |
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Reihe |
IX4424 |
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Verpacken |
Rohr |
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Logik-Art |
CMOS, TTL |
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Maximale Abschaltverzögerungs-Zeit |
75 ns |
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Maximale Einschaltverzögerungs-Zeit |
75 ns |
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Betriebsstoff-Strom |
1 MA |
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Betriebsstoff-Spannung |
4,5 V bis 35 V |
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Unterkategorie |
PMIC - Energie-Management IC |
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Technologie |
Si |
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Stückgewicht |
mg 540 |