2N7002 2N7002-7-F MOSFET-N-KANAL 60V 115mA Ersatzchip
Verbessern Sie Ihr Hashboard mit MOSFET 2N7002
Energiesparender SMD MOSFET für verbesserte Hashboard-Leistung
Verbessern Sie die Leistung von Ihrem Hashboard mit dem MOSFET 2N7002, besonders entworfen, um die Funktionalität von Anwendungen 3.3V zu erhöhen. Mit einem niedrigen Tor zur Quellschwellenspannung von 2.1V, ist dieser MOSFET für Energiemanagementanwendungen perfekt und ermöglicht Ihnen Leistungs, hoch- und -energieverwendungstief zu schalten zu halten. Sein niedriger Durchlasswiderstand garantiert, dass er Energiesparend bleibt, während er eingeschaltet ist.
Plus, seine SMD-Version ist für kleine Anwendungen, mit dem Potenzial, Gleichstrom 200mA und Spitzen 1A mit maximaler Spannungsschwelle auszuhalten stationären unglaublich bequem. So warum Wartezeit? Verbessern Sie Ihr Hashboard heute und erhöhen Sie Ihre Bergbauerfahrung mit dem MOSFET 2N7002!
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Produkt-Kategorie |
MOSFET |
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Technologie |
Si |
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Befestigung von Art |
SMD/SMT |
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Paket/Fall |
SOT-23-3 |
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Transistor-Polarität |
N-Kanal |
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Zahl von Kanälen |
1 Kanal |
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Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung |
60 V |
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Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom |
115 MA |
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Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell |
1,2 Ohm |
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Vgs - Tor-Quellspannung |
- 20 V, + 20 V |
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Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung |
1 V |
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Qg - Tor-Gebühr |
- |
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Minimale Betriebstemperatur |
- 55 C |
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Normalbetriebshöchsttemperatur |
+ 150 C |
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PD - Verlustleistung |
200 mW |
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Kanal-Modus |
Verbesserung |
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Konfiguration |
Einzeln |
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Höhe |
1,2 Millimeter |
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Länge |
2,9 Millimeter |
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Produkt |
MOSFET differenziell |
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Reihe |
2N7002 |
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Transistor-Art |
1 N-Kanal |
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Breite |
1,3 Millimeter |
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Vorwärtstransconductance - Minute |
0,08 S |
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Produkt-Art |
MOSFET |
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Teil # angenommener Name |
2N7002_NL |
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Stückgewicht |
0,000282 Unze |