Oberflächenpaket MOSFET 40V 200A 3.8W 110W Kanal NTMFS5C430NL N berg-8-SOFL
NTMFS5C430NL
,8-SOFL N Kanal MOSFET
,Oberflächenkanal MOSFET des berg-N
Energie oben Ihre Geräte mit NTMFS5C430NL-MOSFETs
Leistungsstarke und Niedrigleitungsverluste für leistungsfähige Elektronik
Suchen Sie nach einem zuverlässigen und leistungsfähigen MOSFET für Ihre Geräte? Schauen Sie nicht weiter als der einzelne N−Channel MOSFET Energie NTMFS5C430NL. Mit seinem niedrigen RDS (an) und niedriger Inputkapazitanz stellt dieser MOSFET minimale Leitungsverluste und zugeschaltete Verluste für Ihre leistungsstarken DC-DC Konverter, DC-Motorantriebe, Punkt von Lademoduln und andere Geräte sicher. Mit einem kompakten Formfaktor von 5mm*6mm, ist dieser MOSFET stark und Raumersparnis. Plus, ist es konformes RoHS und kann eine maximale Grenzschichttemperatur von 175°C. behandeln. Vereinbaren Sie nicht für weniger leistungsfähige MOSFETs, Energie oben Ihre Geräte mit dem NTMFS5C430NL.
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Teilnummer. |
NTMFS5C430NL |
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Kategorie |
MOSFET |
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Drain−to−Source-Spannung |
40V |
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Gate−to−Source-Spannung |
±20V |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RJC (TC = 25°C) |
200A |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RJC (TC = 100°C) |
140A |
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Verlustleistung RJC (TC = 25°C) |
110W |
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Verlustleistung RJC (TC = 100°C) |
53W |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RJA (TA = 25°C) |
38A |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RJA (TA = 100°C) |
27A |
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Verlustleistung RJA (TA = 25°C) |
3.8W |
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Verlustleistung RJA (TA = 100°C) |
1.9W |
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Pulsierter Abfluss-Strom |
900A |
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Funktionierende Kreuzung und Lagertemperatur |
−55 zu +175°C |
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Quellstrom (Körper-Diode) |
120A |