IRG4PH50UD-ISOLIERSCHICHTbipolar Transistor MIT ULTRASCHNELLER WEICHER WIEDERAUFNAHME-DIODE

Pro - und - Betrug des Kaufens von IRG4PH50UD für Ihre elektronischen Geräte

Wenn Sie schauen, um Ihre Elektronik zu verbessern, kann das IRG4PH50UD eine große Wahl sein. Als Energie MOSFET-Transistor hat es für Hochleistung und Leistungsfähigkeit in einer Benutzungsmöglichkeit entworfen. Ist hier irgendein Pro - und - zu betrachten der Betrug, bevor Sie kaufen:

Pro:

- Anschlusswerte der hohen Leistung, mit einem maximalen Vds von 600V und Bewertung des stationären Gleichstroms von 49A

- Niedriger Durchlasswiderstand und schnelle Schaltverzögerungen für verbesserte Leistungsfähigkeit

- Intelligenter Entwurf mit eingebauten Eigenschaften wie anti-parallelen Dioden und Tor-zuabflussschutz

- Passend für Gebrauch in einer Strecke der Elektronik, von Motorantriebe zu Stromversorgung

Betrug:

- Anfällig für die Überhitzung, wenn Sie nicht richtig verwendet werden, die Leistung und Lebensdauer verringern kann

- Mai erfordern etwas zusätzliche Stützschaltkreis oder das Abkühlen, um auf optimalen Niveaus zu funktionieren

- Verhältnismäßig teures verglichen mit anderen Transistoren auf dem Markt

Gesamt, ist das IRG4PH50UD ein hochwertiger Energie MOSFET-Transistor, der eindrucksvolle Ergebnisse in Ihren Elektronikprojekten liefern kann. Gerade sich vergewissern, es in Übereinstimmung mit den Richtlinien des Herstellers für beste Ergebnisse zu verwenden.

Technische Details:

• Befestigung von Art: Durch Loch
• Maximale Tor-Emitter-Spannung: 20 V
• Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
• Normalbetriebshöchsttemperatur: +150 C
• Paket: TO-247-3
• Länge: 15,9 MILLIMETER
• Verpacken: 400
• Höhe: 20,3 MILLIMETER
• Breite: 5,3 MILLIMETER
• Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: 3,7 V
• Ununterbrochener Kollektorstrom IC maximal: 45 A