Leistungsfähiger FQPF6N60C MOSFET-Transistor für leistungsstarke Elektronik

Robuste und zuverlässige Komponente für überlegene elektrische Anwendungen

Suchen nach einem robusten und leistungsstarken MOSFET-Transistor für Ihre elektronischen Geräte? Schauen Sie nicht weiter als das FQPF6N60C. Dieser Transistor ist entworfen, um die außergewöhnliche elektrische Leistung zu liefern und trifft es eine Spitzenwahl für eine breite Palette von Anwendungen. Mit einem maximalen Abflussstrom von 6A und einer maximalen Spannung von 600V, kann das FQPF6N60C sogar die forderndsten Anwendungen leicht behandeln. Sein niedriger Durchlasswiderstand und überlegene zugeschaltete Leistung garantieren, dass Ihr Gerät leistungsfähig und zuverlässig funktioniert.

Errichtet, um hohen Temperaturen und Extrembedingungen zu widerstehen, wird dieser Transistor mit robusten Materialien und neuer Technologie konstruiert. Sein niedriger thermischer Widerstand stellt leistungsfähige Wärmeableitung und langlebige die Leistung sicher und trifft es eine zuverlässige Wahl für leistungsstarke Elektronik. Ob Sie an einem neuen elektronischen Entwurf arbeiten oder ein vorhandenes Gerät reparieren, ist das FQPF6N60C eine starke und zuverlässige Komponente, die Ihre elektrische Leistung zu den neuen Höhen erhöht. Bestellen Sie Ihr heute und erfahren Sie überlegene Leistung und Zuverlässigkeit in Ihren Elektronikprojekten.

Technische Eigenschaften:

• Technologie: Si
• Befestigung von Art: Durch Loch
• Paket/Fall: TO-220-3
• Transistor-Polarität: N-Kanal
• Zahl von Kanälen: 1 Kanal
• Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600 V
• Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 5,5 A
• Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 2 Ohm
• Vgs - Tor-Quellspannung: - 30 V, + 30 V
• Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
• Normalbetriebshöchsttemperatur: + 150 C
• PD - Verlustleistung: 40 W
• Kanal-Modus: Verbesserung
• Reihe: FQPF6N60C
• Verpacken: Rohr
• Marke: onsemi/Fairchild
• Konfiguration: Einzeln
• Abfallzeit: 45 ns
• Vorwärtstransconductance - Minute: 4,8 S
• Höhe: 16,3 Millimeter
• Länge: 10,67 Millimeter
• Produkt-Art: MOSFET
• Anstiegszeit: 45 ns