FQPF8N60C - Hochleistung MOSFET für Elektronik-Anwendungen

Investieren Sie in den zuverlässigen und leistungsfähigen Elektronik-Komponenten heute

FQPF8N60C ist ein MOSFET-Transistor, der für Hochleistungselektronikanwendungen bestimmt worden ist. Als erfahrener Verkäufer auf dem Elektronikgebiet, sind wir überzeugt, wenn wir diese Komponente zu den Kunden empfehlen, die die zuverlässigen und leistungsfähigen Elektronikkomponenten suchen. Dieser MOSFET-Transistor liefert einen niedrigen Aufwiderstand und eine schnelle zugeschaltete Fähigkeit, die hilft, die Leistungsfähigkeit von elektronischen Systemen zu erhöhen. Er hat eine Abflussquellspannung von 600V und kann eine Höchstleistungsableitung von 176W behandeln.

Außerdem erleichtert es den Gebrauch der kleineren Kühlkörper und vereinfacht das thermische Management von elektronischen Entwürfen. Das FQPF8N60C ist eine kosteneffektive Lösung für zugeschaltete Anwendungen der Energie, die Hochleistung und schnelle zugeschaltete Fähigkeit erfordern. Mit seinem starken Bau und ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften garantiert es einer zuverlässigen und leistungsfähigen Operation für Ihr elektronisches System. Investieren Sie im FQPF8N60C heute und genießen Sie den Nutzen eines leistungsstarken MOSFET-Transistors, der garantiert wird, um Ihren Elektronikbedarf zu erfüllen.

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Technische Eigenschaften:

• Technologie: Si
• Befestigung von Art: Durch Loch
• Paket/Fall: TO-220-3
• Transistor-Polarität: N-Kanal
• Zahl von Kanälen: 1 Kanal
• Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600 V
• Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 7,5 A
• Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 1,2 Ohm
• Vgs - Tor-Quellspannung: - 30 V, + 30 V
• Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 4 V
• Qg - Tor-Gebühr: 28 nC
• Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
• Normalbetriebshöchsttemperatur: + 150 C
• PD - Verlustleistung: 48 W
• Kanal-Modus: Verbesserung
• Reihe: FQPF8N60C
• Verpacken: Rohr
• Marke: onsemi/Fairchild
• Konfiguration: Einzeln
• Abfallzeit: 64,5 ns