Kanal hoher Leistung 100V 33A des Transistor-TO-220-3 IRF540NPBF N
Transistor der hohen Leistung 100V
,Transistor der hohen Leistung 33A
,IRF540NPBF
Leistungsstarker Leistungstransistor
IRF540NPBF-Beschreibung: Überlegener Entwurf für moderne Elektronik
Wenn Sie nach einem modernen Leistungstransistor für Ihre Elektronikprojekte suchen, schauen Sie nicht weiter als das IRF540NPBF. Dieser leistungsstarke Transistor ist entworfen, um außergewöhnliche Ergebnisse, mit einem überlegenen Entwurf zu liefern, der optimale Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit sicherstellt. Eine Hochspannungsfähigkeit von bis zu 100V kennzeichnend, kann das IRF540NPBF in einer breiten Palette von Anwendungen funktionieren. Es rühmt auch sich eine hohe gegenwärtige Fähigkeit von bis zu 33A und macht es ideal für Gebrauch in fordernden Stromkreisen, die starke zugeschaltete Fähigkeiten erfordern.
Aber, was wirklich einstellt, ist das IRF540NPBF auseinander sein moderner Entwurf. Mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und schnellen Schaltverzögerungen liefert dieser Transistor außergewöhnlich leistungsfähige und zuverlässige Leistung. Er kennzeichnet auch einen schroffen Bau, der ihn beständig von den Umweltfaktoren wie Temperatur und Erschütterung beschädigen lässt.
So, wenn Sie nach einem leistungsstarken Leistungstransistor suchen, der überlegene Ergebnisse sogar in den forderndsten Anwendungen liefern kann, wählen Sie das IRF540NPBF. Mit seinem außergewöhnlichen Entwurf und zuverlässigen Leistung ist es die perfekte Wahl für moderne Elektronikprojekte.
Technische Eigenschaften:
- Technologie: Si
- Befestigung von Art: Durch Loch
- Paket/Fall: TO-220-3
- Transistor-Polarität: N-Kanal
- Zahl von Kanälen: 1 Kanal
- Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 100 V
- Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 33 A
- Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 44 mOhms
- Vgs - Tor-Quellspannung: - 20 V, + 20 V
- Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 2 V
- Qg - Tor-Gebühr: 47,3 nC
- Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
- Normalbetriebshöchsttemperatur: + 175 C
- PD - Verlustleistung: 140 W
- Kanal-Modus: Verbesserung
- Verpacken: Rohr
- Marke: Infineon Technologies
- Konfiguration: Einzeln
- Höhe: 15,65 Millimeter
- Länge: 10 Millimeter
- Produkt-Art: MOSFET