Starker MOSFET für Energie-Anwendungen

Erfahren Sie die überlegene Leistung von IRF640NPBF MOSFET

Wenn Sie nach einem leistungsfähigen MOSFET für Ihre Energieanwendungen suchen, ist das IRF640NPBF die perfekte Wahl für Sie. Dieser leistungsstarke N-Kanalanreicherungstyptransistor ist entworfen, um ausgezeichnete Leistung mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand von gerade 0,18 Ohm zu liefern. Dieser MOSFET ist zur Behandlung eines maximalen Stroms von 18 Amperen fähig, der es eine ideale Wahl für die Anwendungen trifft, welche die hohe gegenwärtige Behandlung erfordern. Zusätzlich stellt seine maximale Nennspannung von 200 Volt zuverlässige Operation, sogar unter schweren Lasten sicher. Einen schroffen und dauerhaften Entwurf kennzeichnend, wird das IRF640NPBF errichtet, um zu dauern. Sein Paket ist TO-220AB, das weit auf dem Elektronikgebiet für seine ausgezeichnete thermische Leistung bekannt. Dies heißt, dass es hohen Temperaturen widerstehen kann, ohne zu versagen.

Dieser MOSFET kennzeichnet auch eine schnelle Schaltverzögerung, die es in hohem Grade leistungsfähig in jeder möglicher Energieanwendung macht. Plus, zu installieren ist einfach und kann in den verschiedenen Anwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Spannungsregler, Solenoidfahrer und viel mehr verwendet werden.

Zusammenfassend wenn Sie nach einem leistungsfähigen MOSFET für Ihre Energieanwendungen suchen, ist das IRF640NPBF eine ausgezeichnete Wahl. Mit seinen Hauptmerkmalen und robusten Entwurf können Sie sicher sein, dass er Sie mit zuverlässiger und leistungsfähiger Leistung für viele Jahre versieht.

Technische Eigenschaften:

• Technologie: Si
• Befestigung von Art: Durch Loch
• Paket/Fall: TO-220-3
• Transistor-Polarität: N-Kanal
• Zahl von Kanälen: 1 Kanal
• Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 200 V
• Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 18 A
• Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 150 mOhms
• Vgs - Tor-Quellspannung: - 20 V, + 20 V
• Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 2 V
• Qg - Tor-Gebühr: 44,7 nC
• Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
• Normalbetriebshöchsttemperatur: + 175 C
• PD - Verlustleistung: 150 W
• Kanal-Modus: Verbesserung
• Verpacken: Rohr
• Marke: Infineon Technologies
• Konfiguration: Einzeln
• Abfallzeit: 5,5 ns
• Vorwärtstransconductance - Minute: 6,8 S
• Höhe: 15,65 Millimeter
• Länge: 10 Millimeter
• Produkt-Art: MOSFET
• Anstiegszeit: 19 ns