IRFP4668PBF N-Kanal-MOSFET-IC 200V 130A 520W elektronischer IC-Chip
IRFP4668PBF
,N-Kanal-MOSFET-IC
,Elektronischer IC Chip MOSFET
Infineon IRFP4668PBF N-Kanal-MOSFET - Hochleistung und Effizienz
Der Infineon IRFP4668PBF ist ein leistungsstarkes N-Channel-MOSFET, das in verschiedenen Anwendungen eine hervorragende Leistung und Effizienz bietet.Es gehört zur HEXFET®-Serie und eignet sich für die Verwendung als einzelnes FET in Schaltkreisentwürfen. Mit einer Abflussspannung (Vdss) von 200 V kann dieses MOSFET hohe Spannungsniveaus bewältigen, was es für anspruchsvolle Anwendungen geeignet macht.Es hat einen kontinuierlichen Abflussstrom (Id) von 130 A bei 25 °C (mit Bezugstemperatur des Gehäuses), was eine robuste Leistungsfähigkeit ermöglicht.
IRFP4668PBF N-Kanal-MOSFET von Infineon - Robuster und leistungsstarker Transistor
Das IRFP4668PBF MOSFET verfügt über einen geringen Einschaltwiderstand (Rds On) von 9,7 mOhm bei einem Abflussstrom (Id) von 81A und einer Torquelle-Spannung (Vgs) von 10V.Dieser geringe Widerstand minimiert Stromverluste und erhöht die gesamte SystemeffizienzDieses MOSFET arbeitet mit einer Tor-Quell-Schwellenspannung (Vgs ((th)) von 5 V bei einer Id von 250 μA und benötigt für eine optimale Leistung eine Antriebsspannung von bis zu 10 V.Es hat eine maximale Tor-Quell-Spannung (Vgs) von ± 30 VDas IRFP4668PBF MOSFET verfügt über eine Torladung (Qg) von 241nC bei einer Torquelle-Spannung (Vgs) von 10V.Dieser Parameter gibt an, wie viel Ladung erforderlich ist, um das MOSFET effizient ein- und auszuschalten.
Mit einer Eingangskapazität (Ciss) von 10,720 pF bei einer Abflussspannung (Vds) von 50 V bietet dieses MOSFET eine geeignete Kapazitätsauflastung für Antriebsschaltkreise.Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis 175°C (TJ), kann die IRFP4668PBF unterschiedlichen Umgebungsbedingungen standhalten.Das Infineon IRFP4668PBF N-Channel-MOSFET ist ein WirkstoffMit seiner hohen Leistungsauslastung von 520 W (Tc) kann er erhebliche Leistungsniveaus effektiv bewältigen.
Technische Merkmale:
| Merkmal | Spezifikation |
|---|---|
| Hersteller | Infineon |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistortyp | FETs, MOSFETs |
| Reihe | HEXFET |
| Paket | Schlauch |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 200 V |
| Kontinuierlicher Abflussstrom (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (maximal) | ± 30 V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 520 Watt (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Durchs Loch |
| Packung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Basisproduktnummer | IRFP4668 |