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Transistor-Modul MOSFET N STGH20N50FI IGBT Kanal-Feld-Effekt

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Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT

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Transistor-Modul FGA25N120ANT FGA25N120ANTD 1200V 25A NPT Graben-IGBT

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Isolierschichttransistor-Vielzwecklanglebiges gut BUP403 Siemens

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	Bild	Teil #	Beschreibung	fabricant	Lagerbestand	RFQ
		Stabile Infineon IGBT Breite 4.9mm der hohen Leistung des Transistor-Modul-BUP314D			Vorräte
		Vielzweck-1200V NPT IGBT, Transistor FGL40N120AND Fairchild			Vorräte
		Hochgeschwindigkeits-IGBT Transistor-Modul praktisches LKW40N120H3 Infineon			Vorräte
		Multifunktions-Tranzistor IGBT Infineon IKP20N60T 10x9.25x4.4mm			Vorräte
		Transistor-Modul-hohe Leistung FP150R07N3E4_B11 IGBT praktisch			Vorräte
		Kanal IGBT, parallele Hyperfast Antidiode NPT-Reihen-43A 1200V N HGTG11N120CND			Vorräte
		Silikon N lenken IGBT-Transistor-Modul Vielzweck-GT60M303			Vorräte
		Dauerhaftes Isolierschichtbipolar transistor Vielzweck-IRG4PH50UD			Vorräte
		Hochgeschwindigkeits-IGBT-Transistor-Modul IXGH48N60C3D1 für Schaltung 40-100kHz			Vorräte
		Graben-Feld-Halt IGBT, v-Reihe Hochgeschwindigkeits-STGWT60V60DF 600V 60A			Vorräte
		Transistor-Modul MOSFET N STGH20N50FI IGBT Kanal-Feld-Effekt			Vorräte
		Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT			Vorräte
		Transistor-Modul FGA25N120ANT FGA25N120ANTD 1200V 25A NPT Graben-IGBT			Vorräte
		Isolierschichttransistor-Vielzwecklanglebiges gut BUP403 Siemens			Vorräte

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